+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60B
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60B
ICE20N60B
Superjunction MOSFET
ICE20N60B
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Лента и катушка (TR)
12100
: $2.4600
: 12100

800

$2.4600

$1,968.0000

1600

$2.3100

$3,696.0000

2400

$2.1100

$5,064.0000

3200

$1.9400

$6,208.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60B
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60B
ICE20N60B
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Лента и катушка (TR)
12100
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)236W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-263
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs59 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2064 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0