+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60W
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60W
ICE20N60W
Superjunction MOSFET
ICE20N60W
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
7490
: $2.9900
: 7490

30

$2.9900

$89.7000

150

$2.8100

$421.5000

600

$2.5600

$1,536.0000

1020

$2.3600

$2,407.2000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60W
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE20N60W
ICE20N60W
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
7490
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)236W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-247
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs59 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2064 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0