+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE47N60W
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE47N60W
ICE47N60W
Superjunction MOSFET
ICE47N60W
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
8600
: $7.8400
: 8600

30

$7.8400

$235.2000

150

$7.3500

$1,102.5000

600

$6.7200

$4,032.0000

1020

$6.1900

$6,313.8000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE47N60W
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE47N60W
ICE47N60W
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
8600
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C47A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs68mOhm @ 24A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)431W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-247
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs189 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds5718 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0