+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130
ICE60N130
Superjunction MOSFET
ICE60N130
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
6650
: $3.2000
: 6650

50

$3.2000

$160.0000

250

$3.0000

$750.0000

500

$2.7500

$1,375.0000

1000

$2.5300

$2,530.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130
ICE60N130
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
6650
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs150mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)208W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs72 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2730 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0