+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130W
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130W
ICE60N130W
Superjunction MOSFET
ICE60N130W
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
6590
: $3.7000
: 6590

30

$3.7000

$111.0000

150

$3.4700

$520.5000

600

$3.1700

$1,902.0000

2100

$2.9200

$6,132.0000

6000

$2.7100

$16,260.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130W
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N130W
ICE60N130W
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
6590
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C25A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs150mOhm @ 13A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)208W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-247
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs72 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2730 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0