+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N330
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N330
ICE60N330
Superjunction MOSFET
ICE60N330
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
6600
: $1.7700
: 6600

50

$1.7700

$88.5000

1000

$1.6600

$1,660.0000

5000

$1.5200

$7,600.0000

15000

$1.4000

$21,000.0000

25000

$1.2900

$32,250.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N330
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ICE60N330
ICE60N330
-
IceMOS Technology
Superjunction M
-
Трубка
6600
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIceMOS Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs330mOhm @ 5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)95W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.9V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs43 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1250 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0