+86-15869849588
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L1200
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L1200
IGN1011L1200
RF MOSFET HEMT 50V PL84A1
IGN1011L1200
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Integra Technologies
RF MOSFET HEMT
-
Поднос
6500
1
: $794.0300
: 6500

1

$794.0300

$794.0300

10

$781.7200

$7,817.2000

image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L1200
image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L1200
IGN1011L1200
-
Integra Technologies
RF MOSFET HEMT
-
Поднос
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIntegra Technologies
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPL84A1
Частота1.03GHz ~ 1.09GHz
Выходная мощность1250W
Прирост16.8dB
ТехнологииHEMT
Пакет устройств поставщикаPL84A1
Напряжение - номинальное180 V
Напряжение - Тест50 V
Текущий — Тест160 mA
captcha

+86-15869849588
0