+86-15869849588
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
IGN1011L70
RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
IGN1011L70
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Integra Technologies
RF MOSFET GAN H
-
Масса
6511
1
: $212.2600
: 6511

1

$212.2600

$212.2600

15

$203.2900

$3,049.3500

image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1011L70
IGN1011L70
-
Integra Technologies
RF MOSFET GAN H
-
Масса
6511
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIntegra Technologies
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPL32A2
Тип монтажаChassis Mount
Частота1.03GHz ~ 1.09GHz
Выходная мощность80W
Прирост22dB
ТехнологииGaN HEMT
Пакет устройств поставщикаPL32A2
Напряжение - номинальное120 V
Напряжение - Тест50 V
Текущий — Тест22 mA
captcha

+86-15869849588
0