+86-15869849588
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1214L500B
  • image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1214L500B
IGN1214L500B
RF MOSFET HEMT 50V PL95A1
IGN1214L500B
РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Integra Technologies
RF MOSFET HEMT
-
Поднос
6502
1
: $884.5000
: 6502

1

$884.5000

$884.5000

10

$870.7900

$8,707.9000

image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1214L500B
image of РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IGN1214L500B
IGN1214L500B
-
Integra Technologies
RF MOSFET HEMT
-
Поднос
6502
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIntegra Technologies
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPL95A1
Частота1.2GHz ~ 1.4GHz
Выходная мощность650W
Прирост15dB
ТехнологииHEMT
Пакет устройств поставщикаPL95A1
Напряжение - номинальное160 V
Напряжение - Тест50 V
Текущий — Тест200 mA
captcha

+86-15869849588
0