1
$21.3500
$21.3500
10
$19.6900
$196.9000
25
$18.8100
$470.2500
100
$16.8200
$1,682.0000
250
$16.0400
$4,010.0000
500
$15.2700
$7,635.0000
1000
$14.3800
$14,380.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | CoolSiC™ Gen 2 |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 115A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 64.2A, 18V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 416W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 5.6V @ 13mA |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-7-12 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 15V, 20V |
| ВГС (Макс) | +23V, -7V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 79 nC @ 18 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2792 pF @ 400 V |
