+86-15869849588
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD10AT108
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD10AT108
IMD10AT108
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
IMD10AT108
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
ROHM Semiconductor
TRANS NPN/PNP P
-
Лента и катушка (TR)
14305
1
: $0.4700
: 14305

1

$0.4700

$0.4700

10

$0.3700

$3.7000

100

$0.2200

$22.0000

500

$0.2000

$100.0000

1000

$0.1400

$140.0000

3000

$0.1300

$390.0000

6000

$0.1200

$720.0000

9000

$0.1100

$990.0000

30000

$0.1100

$3,300.0000

75000

$0.1000

$7,500.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD10AT108
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>IMD10AT108
IMD10AT108
-
ROHM Semiconductor
TRANS NPN/PNP P
-
Лента и катушка (TR)
14305
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
PDF(4)
PDF(5)
PDF(6)
PDF(7)
PDF(8)
PDF(9)
PDF(10)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительROHM Semiconductor
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSC-74, SOT-457
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.300mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA, 500mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Частота – переход250MHz, 200MHz
Резистор — база (R1)10kOhms, 100Ohms
Резистор — база эмиттера (R2)10kOhms
Пакет устройств поставщикаSMT6
captcha

+86-15869849588
0