+86-15869849588
IPD35N10S3L26ATMA2
MOSFET_(75V 120V(
IPD35N10S3L26ATMA2
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(75V 120
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $0.6800
: 6500

2500

$0.6800

$1,700.0000

5000

$0.6500

$3,250.0000

12500

$0.6200

$7,750.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPD35N10S3L26ATMA2
IPD35N10S3L26ATMA2
-
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(75V 120
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs24mOhm @ 35A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)71W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.4V @ 39µA
Пакет устройств поставщикаPG-TO252-3-11
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs39 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds2700 pF @ 25 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0