+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPP076N15N5XKSA1
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPP076N15N5XKSA1
IPP076N15N5XKSA1
TRENCH >=100V
IPP076N15N5XKSA1
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
Трубка
6500
1
: $3.4000
: 6500

500

$3.4000

$1,700.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPP076N15N5XKSA1
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPP076N15N5XKSA1
IPP076N15N5XKSA1
-
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
Трубка
6500
YES
Параметры продукции 
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C112A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 56A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)214W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.6V @ 160µA
Пакет устройств поставщикаPG-TO220-3-1
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)8V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)150 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs61 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4700 pF @ 75 V
captcha

+86-15869849588
0