+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPP70N12S311AKSA2
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPP70N12S311AKSA2
IPP70N12S311AKSA2
MOSFET_(120V 300V)
IPP70N12S311AKSA2
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(120V 30
-
Трубка
6500
1
: $1.7000
: 6500

500

$1.7000

$850.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPP70N12S311AKSA2
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPP70N12S311AKSA2
IPP70N12S311AKSA2
-
IR (Infineon Technologies)
MOSFET_(120V 30
-
Трубка
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C70A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 70A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)125W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 83µA
Пакет устройств поставщикаPG-TO220-3-1
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)120 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs65 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds4355 pF @ 25 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0