+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPTC026N12NM6ATMA1
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPTC026N12NM6ATMA1
IPTC026N12NM6ATMA1
TRENCH >=100V
IPTC026N12NM6ATMA1
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $3.4300
: 6500

1

$6.0500

$6.0500

10

$5.4600

$54.6000

25

$5.2100

$130.2500

100

$4.5200

$452.0000

250

$4.3200

$1,080.0000

500

$3.9400

$1,970.0000

1800

$3.4300

$6,174.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPTC026N12NM6ATMA1
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IPTC026N12NM6ATMA1
IPTC026N12NM6ATMA1
-
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядOptiMOS™ 6
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс16-PowerSOP Module
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C26A (Ta), 222A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.6mOhm @ 115A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3.8W (Ta), 278W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.6V @ 169µA
Пакет устройств поставщикаPG-HDSOP-16-2
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)8V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)120 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs88 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds6500 pF @ 60 V
captcha

+86-15869849588
0