IRF225 Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Элемент (Гонконг)Технология_Электронные компоненты_Интегрированные схемыIC_Резисторы_Конденсаторы_Децентрализованные устройства_Электронные компоненты Независимые дистрибьюторы

IRF225

N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET

：

IRF225

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

International Rectifier

N-CHANNEL HERME

Масса

6788

: $2.1600

: 6788

139

$2.1600

$300.2400

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRF225

：

IRF225

：

International Rectifier

：

N-CHANNEL HERME

：

Масса

：

6788

：

IRF225

瑞萨-Renesas

4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF225

英飞凌-Infineon

HEXFET TRANSISTORS

IRF225

英飞凌-Infineon

HEXFET® Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 3.6mΩ , ID = 170A )

IRF225

英飞凌-Infineon

40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装

IRF225

英飞凌-Infineon

40V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装

IRF225

NJS

Trans MOSFET N-CH 150V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-3

IRF225

NJS

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) TO-3

IRF225

NJS

Trans MOSFET N-CH 200V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-3

IRF225

民承-MC-Power

高压VDMOS

IRF225

民承-MC-Power

高压VDMOS

IRF225

环球半导体-GlobalSemi

MOSFET

IRF225

瑞萨-Renesas

508041

IRF225

英飞凌-Infineon

508033

IRF225

英飞凌-Infineon

508034

IRF225

英飞凌-Infineon

508035

IRF225

英飞凌-Infineon

508037

IRF225

NJS

508038

IRF225

NJS

508039

IRF225

NJS

508040

IRF225

民承-MC-Power

508042

IRF225

民承-MC-Power

508043

IRF225

环球半导体-GlobalSemi

508045

Параметры продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	International Rectifier
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-204AA, TO-3
Тип монтажа	Through Hole
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	3.3A
Рассеиваемая мощность (макс.)	40W
Пакет устройств поставщика	TO-204AA (TO-3)
Напряжение стока к источнику (Vdss)	250 V