+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRF830A
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRF830A
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRF830A
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRF830A
IRF830A
MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
IRF830A
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 500
-
Трубка
6500
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRF830A
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRF830A
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRF830A
IRF830A
-
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 500
-
Трубка
6500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)74W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-220AB
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss)500 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds620 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0