+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFAC50
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFAC50
IRFAC50
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRFAC50
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
International Rectifier
N-CHANNEL HERME
-
Масса
6629
: $7.4200
: 6629

41

$7.4200

$304.2200

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFAC50
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFAC50
IRFAC50
-
International Rectifier
N-CHANNEL HERME
-
Масса
6629
NO
IRFAC50
瑞萨-Renesas
6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
IRFAC50
英飞凌-Infineon
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAC50
瑞萨-Renesas
507292
IRFAC50
英飞凌-Infineon
507291
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительInternational Rectifier
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-204AA, TO-3
Тип монтажаThrough Hole
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C10.6A
Рассеиваемая мощность (макс.)150W
Пакет устройств поставщикаTO-204AA (TO-3)
Напряжение стока к источнику (Vdss)600 V
captcha

+86-15869849588
0