+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFD310
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFD310
IRFD310
MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP
IRFD310
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 400
-
Трубка
6500
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFD310
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IRFD310
IRFD310
-
Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 400
-
Трубка
6500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс4-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C350mA (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 210mA, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)1W (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщика4-HVMDIP
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)400 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs17 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds170 pF @ 25 V
captcha

+86-15869849588
0