+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ISC032N12LM6ATMA1
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ISC032N12LM6ATMA1
ISC032N12LM6ATMA1
TRENCH >=100V
ISC032N12LM6ATMA1
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $3.9300
: 6500

1

$3.9300

$3.9300

10

$3.3000

$33.0000

100

$2.6700

$267.0000

500

$2.3800

$1,190.0000

1000

$2.0300

$2,030.0000

2000

$1.9200

$3,840.0000

5000

$1.8400

$9,200.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ISC032N12LM6ATMA1
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>ISC032N12LM6ATMA1
ISC032N12LM6ATMA1
-
IR (Infineon Technologies)
TRENCH >=100V
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительIR (Infineon Technologies)
РядOptiMOS™ 6
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerTDFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Ta), 170A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 50A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)3W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.2V @ 110µA
Пакет устройств поставщикаPG-TDSON-8 FL
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)3.3V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)120 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs82 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds5700 pF @ 60 V
captcha

+86-15869849588
0