+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12160T4
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12160T4
IV1Q12160T4
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
IV1Q12160T4
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 120
-
Трубка
6606
1
: $18.0300
: 6606

1

$18.0300

$18.0300

10

$15.8800

$158.8000

100

$13.7400

$1,374.0000

500

$12.4500

$6,225.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12160T4
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>IV1Q12160T4
IV1Q12160T4
-
Inventchip Technology
SIC MOSFET, 120
-
Трубка
6606
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительInventchip Technology
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-247-4
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииSiCFET (Silicon Carbide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs195mOhm @ 10A, 20V
Рассеиваемая мощность (макс.)138W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.9V @ 1.9mA
Пакет устройств поставщикаTO-247-4
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)20V
ВГС (Макс)+20V, -5V
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs43 nC @ 20 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds885 pF @ 800 V
captcha

+86-15869849588
0