+86-15869849588
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
  • image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
MMDT5401HE3-TP
DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMDT5401HE3-TP
Биполярные транзисторные матрицы
Micro Commercial Components (MCC)
DUAL PNP SMALL
-
Лента и катушка (TR)
12390
1
: $0.0800
: 12390

1

$0.3700

$0.3700

10

$0.2600

$2.6000

100

$0.1300

$13.0000

500

$0.1200

$60.0000

1000

$0.0900

$90.0000

3000

$0.0800

$240.0000

6000

$0.0800

$480.0000

9000

$0.0700

$630.0000

30000

$0.0700

$2,100.0000

75000

$0.0600

$4,500.0000

150000

$0.0600

$9,000.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
image of Биполярные транзисторные матрицы>MMDT5401HE3-TP
MMDT5401HE3-TP
-
Micro Commercial Components (MCC)
DUAL PNP SMALL
-
Лента и катушка (TR)
12390
YES
MMDT5401HE3-TP
美微科-MCC
Small Signal Bipolar Transistors
MMDT5401HE3-TP
美微科-MCC
535176
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительMicro Commercial Components (MCC)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора2 PNP
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Макс.200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)600mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)150V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic500mV @ 5mA, 50mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)50nA (ICBO)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Частота – переход100MHz
Пакет устройств поставщикаSOT-363
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0