+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>MMFTP2319A-AQ
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>MMFTP2319A-AQ
MMFTP2319A-AQ
IC
MMFTP2319A-AQ
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
6500
: $0.1000
: 6500

3000

$0.1000

$300.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>MMFTP2319A-AQ
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>MMFTP2319A-AQ
MMFTP2319A-AQ
-
Diotec Semiconductor
IC
-
Масса
6500
NO
MMFTP2319A-AQ
德欧泰克-Diotec
MOSFETs (Field Effect Transistors)
MMFTP2319A-AQ
先科-ST
小信号金氧半電晶體
MMFTP2319A-AQ
德欧泰克-Diotec
402906
MMFTP2319A-AQ
先科-ST
402910
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительDiotec Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораP-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4.2A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs97mOhm @ 3A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)750mW (Ta)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаSOT-23-3 (TO-236)
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs8.2 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds432 pF @ 20 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0