+86-15869849588
MSRT100120D
DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
MSRT100120D
Диодные матрицы
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE GP
-
Масса
6500
1
: $75.1500
: 6500

80

$75.1500

$6,012.0000

image of Диодные матрицы>MSRT100120D
MSRT100120D
-
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE GP
-
Масса
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсThree Tower
Тип монтажаChassis Mount
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ТехнологииStandard
Конфигурация диода1 Pair Series Connection
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)100A
Пакет устройств поставщикаThree Tower
Рабочая температура - соединение-55°C ~ 150°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)1200 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If1.1 V @ 100 A
Ток – обратная утечка @ Vr10 µA @ 1200 V
captcha

+86-15869849588
0