+86-15869849588
MSRTA300120D
DIODE MODULE GP 1200V 300A
MSRTA300120D
Диодные матрицы
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE GP
-
Масса
6500
1
: $137.8200
: 6500

48

$137.8200

$6,615.3600

image of Диодные матрицы>MSRTA300120D
MSRTA300120D
-
GeneSiC Semiconductor
DIODE MODULE GP
-
Масса
6500
YES
MSRTA300120D
America
HEAVY THREE TOWER MODULES STANDARD RECTIFIER
MSRTA300120D
罡境-DACO
Standard Recovery Diodes
MSRTA300120D
基因碳化硅-GeneSiC
Silicon Standard Recovery Diode
MSRTA300120D
罡境-DACO
Diode Modules
MSRTA300120D
罡境-DACO
Diode Modules
MSRTA300120D
基因碳化硅-GeneSiC
High Surge Capability
MSRTA300120D
America
338971
MSRTA300120D
罡境-DACO
338997
MSRTA300120D
基因碳化硅-GeneSiC
339002
MSRTA300120D
罡境-DACO
338985
MSRTA300120D
罡境-DACO
338991
MSRTA300120D
基因碳化硅-GeneSiC
339007
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительGeneSiC Semiconductor
Ряд-
УпаковкаМасса
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаChassis Mount
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ТехнологииStandard
Конфигурация диода1 Pair Series Connection
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)300A
Рабочая температура - соединение-55°C ~ 150°C
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)1200 V
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If1.1 V @ 300 A
Ток – обратная утечка @ Vr20 µA @ 1200 V
captcha

+86-15869849588
0