+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NDS8852H
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NDS8852H
NDS8852H
MOSFET N/P-CH 30V 4.3A 8SOIC
NDS8852H
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Sanyo Semiconductor/onsemi
MOSFET N/P-CH 3
-
Лента и катушка (TR)
6500
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NDS8852H
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NDS8852H
NDS8852H
-
Sanyo Semiconductor/onsemi
MOSFET N/P-CH 3
-
Лента и катушка (TR)
6500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
КонфигурацияN and P-Channel
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1W
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C4.3A, 3.4A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds300pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs80mOhm @ 3.4A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs25nC @ 10V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id2.8V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOIC
captcha

+86-15869849588
0