+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NDS8926
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NDS8926
NDS8926
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
NDS8926
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Sanyo Semiconductor/onsemi
MOSFET 2N-CH 20
-
Лента и катушка (TR)
6500
: $0.8600
: 6500

1

$1.9000

$1.9000

2500

$0.8600

$2,150.0000

5000

$0.8200

$4,100.0000

12500

$0.8000

$10,000.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NDS8926
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NDS8926
NDS8926
-
Sanyo Semiconductor/onsemi
MOSFET 2N-CH 20
-
Лента и катушка (TR)
6500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
PDF(3)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейс8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.900mW
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5.5A
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds760pF @ 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs30nC @ 4.5V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-SOIC
captcha

+86-15869849588
0