+86-15869849588
  • image of Биполярные радиочастотные транзисторы>NE85633-T1B-A
  • image of Биполярные радиочастотные транзисторы>NE85633-T1B-A
NE85633-T1B-A
SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
NE85633-T1B-A
Биполярные радиочастотные транзисторы
CEL (California Eastern Laboratories)
SAME AS 2SC3356
-
Лента и катушка (TR)
33500
1
: $1.8000
: 33500

3000

$1.8000

$5,400.0000

9000

$1.4000

$12,600.0000

15000

$1.2000

$18,000.0000

image of Биполярные радиочастотные транзисторы>NE85633-T1B-A
image of Биполярные радиочастотные транзисторы>NE85633-T1B-A
NE85633-T1B-A
-
CEL (California Eastern Laboratories)
SAME AS 2SC3356
-
Лента и катушка (TR)
33500
YES
NE85633-T1B-A
CEL
NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE85633-T1B-A
瑞萨-Renesas
NPN SILICON TRANSISTOR
NE85633-T1B-A
瑞萨-Renesas
NPN SILICON TRANSISTOR
NE85633-T1B-A
瑞萨-Renesas
NPN SILICON TRANSISTOR
NE85633-T1B-A
瑞萨-Renesas
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW DISTORTION AMPLIFIER
NE85633-T1B-A
CEL
NONLINEAR MODEL
NE85633-T1B-A
CEL
355122
NE85633-T1B-A
瑞萨-Renesas
355135
NE85633-T1B-A
瑞萨-Renesas
355132
NE85633-T1B-A
瑞萨-Renesas
355150
NE85633-T1B-A
瑞萨-Renesas
355154
NE85633-T1B-A
CEL
355156
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительCEL (California Eastern Laboratories)
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаOBSOLETE
Пакет/кейсTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистораNPN
Рабочая Температура150°C (TJ)
Прирост11.5dB
Мощность - Макс.200mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)12V
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Частота – переход7GHz
Коэффициент шума (дБ, тип @ f)1.1dB @ 1GHz
Пакет устройств поставщика3-MINIMOLD
captcha

+86-15869849588
0