+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVBLS0D8N08XTXG
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVBLS0D8N08XTXG
NVBLS0D8N08XTXG
T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
NVBLS0D8N08XTXG
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Sanyo Semiconductor/onsemi
T10S 80V SG NCH
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $3.6700
: 6500

1

$6.9000

$6.9000

10

$5.9100

$59.1000

100

$4.9300

$493.0000

500

$4.3500

$2,175.0000

1000

$3.9100

$3,910.0000

2000

$3.6700

$7,340.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVBLS0D8N08XTXG
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>NVBLS0D8N08XTXG
NVBLS0D8N08XTXG
-
Sanyo Semiconductor/onsemi
T10S 80V SG NCH
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerSFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C457A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs0.79mOhm @ 80A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)325W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id3.6V @ 720µA
Пакет устройств поставщика8-HPSOF
ОценкаAutomotive
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)80 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs174 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds12920 pF @ 40 V
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0