+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXH003P120M3F2PTNG
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXH003P120M3F2PTNG
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXH003P120M3F2PTNG
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXH003P120M3F2PTNG
NXH003P120M3F2PTNG
SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
NXH003P120M3F2PTNG
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE
-
Поднос
6520
1
: $242.3200
: 6520

1

$258.7200

$258.7200

20

$242.3200

$4,846.4000

40

$233.2100

$9,328.4000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXH003P120M3F2PTNG
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXH003P120M3F2PTNG
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>NXH003P120M3F2PTNG
NXH003P120M3F2PTNG
-
Sanyo Semiconductor/onsemi
SILICON CARBIDE
-
Поднос
6520
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаChassis Mount
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура-40°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииSilicon Carbide (SiC)
Мощность - Макс.1.48kW (Tj)
Напряжение стока к источнику (Vdss)1200V (1.2kV)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C435A (Tj)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds20889pF @ 800V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs5mOhm @ 200A, 18V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs1200nC @ 20V
Vgs(th) (Макс) @ Id4.4V @ 160mA
Пакет устройств поставщика36-PIM (56.7x62.8)
captcha

+86-15869849588
0