+86-15869849588
NXH80T120L3Q0P3G
PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
NXH80T120L3Q0P3G
БТИЗ-модули
Sanyo Semiconductor/onsemi
PIM GENERATION3
-
Поднос
6500
1
: $65.2800
: 6500

1

$65.2800

$65.2800

24

$59.3500

$1,424.4000

96

$53.4100

$5,127.3600

image of БТИЗ-модули>NXH80T120L3Q0P3G
NXH80T120L3Q0P3G
-
Sanyo Semiconductor/onsemi
PIM GENERATION3
-
Поднос
6500
YES
NXH80T120L3Q0P3G
安森美-ONSEMI
Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT
NXH80T120L3Q0P3G
安森美-ONSEMI
450032
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительSanyo Semiconductor/onsemi
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсModule
Тип монтажаChassis Mount
ВходStandard
КонфигурацияThree Level Inverter
Рабочая Температура-40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 80A
НТЦ-термисторYes
Пакет устройств поставщика20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Тип БТИЗTrench Field Stop
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)75 A
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)1200 V
Мощность - Макс.188 W
Ток-отсечка коллектора (макс.)300 µA
Входная емкость (Cies) при Vce18150 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0