987
$0.3000
$296.1000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | TrenchMOS™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11.8A (Tj) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 12A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 17.6 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1335 pF @ 16 V |
