+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>PJQ2800_R1_00001
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>PJQ2800_R1_00001
PJQ2800_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 6DFN
PJQ2800_R1_00001
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
PANJIT
MOSFET 2N-CH 20
-
Лента и катушка (TR)
9500
1
: $0.5800
: 9500

1

$0.5800

$0.5800

10

$0.5000

$5.0000

100

$0.3500

$35.0000

500

$0.2700

$135.0000

1000

$0.2200

$220.0000

3000

$0.2000

$600.0000

6000

$0.1900

$1,140.0000

9000

$0.1700

$1,530.0000

30000

$0.1700

$5,100.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>PJQ2800_R1_00001
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>PJQ2800_R1_00001
PJQ2800_R1_00001
-
PANJIT
MOSFET 2N-CH 20
-
Лента и катушка (TR)
9500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительPANJIT
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-VDFN Exposed Pad
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.45W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5.2A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds515pF @ 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs32mOhm @ 5.2A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs6.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id900mV @ 250µA
Пакет устройств поставщикаDFN2020-6L
captcha

+86-15869849588
0