+86-15869849588
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4985FE,LXHF(CT
  • image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4985FE,LXHF(CT
RN4985FE,LXHF(CT
AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
RN4985FE,LXHF(CT
Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
AUTO AEC-Q TR N
-
Лента и катушка (TR)
14470
: $0.3700
: 14470

1

$0.3700

$0.3700

10

$0.2600

$2.6000

100

$0.1300

$13.0000

500

$0.1200

$60.0000

1000

$0.0900

$90.0000

2000

$0.0800

$160.0000

4000

$0.0800

$320.0000

8000

$0.0800

$640.0000

12000

$0.0700

$840.0000

28000

$0.0700

$1,960.0000

100000

$0.0600

$6,000.0000

image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4985FE,LXHF(CT
image of Биполярные транзисторные матрицы с предварительным смещением>RN4985FE,LXHF(CT
RN4985FE,LXHF(CT
-
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
AUTO AEC-Q TR N
-
Лента и катушка (TR)
14470
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсSOT-563, SOT-666
Тип монтажаSurface Mount
Тип транзистора1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Мощность - Макс.100mW
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)100mA
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.)50V
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Ток-отсечка коллектора (макс.)500nA
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce80 @ 10mA, 5V
Частота – переход250MHz, 200MHz
Резистор — база (R1)2.2kOhms
Резистор — база эмиттера (R2)47kOhms
Пакет устройств поставщикаES6
ОценкаAutomotive
КвалификацияAEC-Q101
captcha

+86-15869849588
0