+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
SIDR220EP-T1-RE3
N-CHANNEL 25 V (D-S) 175C MOSFET
SIDR220EP-T1-RE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 25 V
-
Лента и катушка (TR)
12488
: $1.5700
: 12488

1

$3.2300

$3.2300

10

$2.7100

$27.1000

100

$2.1900

$219.0000

500

$1.9500

$975.0000

1000

$1.6700

$1,670.0000

3000

$1.5700

$4,710.0000

6000

$1.5100

$9,060.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIDR220EP-T1-RE3
SIDR220EP-T1-RE3
-
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 25 V
-
Лента и катушка (TR)
12488
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET® Gen IV
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 175°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C92.8A (Ta), 415A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs0.58mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)6.25W (Ta), 415W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.1V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8DC
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)+16V, -12V
Напряжение стока к источнику (Vdss)25 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs200 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds10850 pF @ 10 V
captcha

+86-15869849588
0