+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIHB6N80AE-GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIHB6N80AE-GE3
SIHB6N80AE-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
SIHB6N80AE-GE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER
-
Трубка
7540
1
: $1.6000
: 7540

1

$1.9900

$1.9900

50

$1.6000

$80.0000

100

$1.3200

$132.0000

500

$1.1100

$555.0000

1000

$0.9500

$950.0000

2000

$0.9000

$1,800.0000

5000

$0.8600

$4,300.0000

10000

$0.8400

$8,400.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIHB6N80AE-GE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIHB6N80AE-GE3
SIHB6N80AE-GE3
-
Vishay / Siliconix
E SERIES POWER
-
Трубка
7540
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядE
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs950mOhm @ 2A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)62.5W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаTO-263 (D2PAK)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss)800 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs22.5 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds422 pF @ 100 V
captcha

+86-15869849588
0