+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJA54ADP-T1-GE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJA54ADP-T1-GE3
SIJA54ADP-T1-GE3
N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
SIJA54ADP-T1-GE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 40 V
-
Лента и катушка (TR)
12423
1
: $0.8400
: 12423

1

$1.8600

$1.8600

10

$1.5400

$15.4000

100

$1.2300

$123.0000

500

$1.0400

$520.0000

1000

$0.8800

$880.0000

3000

$0.8400

$2,520.0000

6000

$0.8100

$4,860.0000

9000

$0.7800

$7,020.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJA54ADP-T1-GE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIJA54ADP-T1-GE3
SIJA54ADP-T1-GE3
-
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 40 V
-
Лента и катушка (TR)
12423
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET® Gen IV
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C35.4A (Ta), 126A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs2.3mOhm @ 15A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)+20V, -16V
Напряжение стока к источнику (Vdss)40 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs70 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3850 pF @ 20 V
captcha

+86-15869849588
0