+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR516DP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR516DP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR516DP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR516DP-T1-RE3
SIR516DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SIR516DP-T1-RE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V
-
Лента и катушка (TR)
12500
1
: $0.7900
: 12500

1

$1.7500

$1.7500

10

$1.4500

$14.5000

100

$1.1600

$116.0000

500

$0.9800

$490.0000

1000

$0.8300

$830.0000

3000

$0.7900

$2,370.0000

6000

$0.7600

$4,560.0000

9000

$0.7300

$6,570.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR516DP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR516DP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR516DP-T1-RE3
SIR516DP-T1-RE3
-
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V
-
Лента и катушка (TR)
12500
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs8mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)7.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs27 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1920 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0