+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
SIR876BDP-T1-RE3
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
SIR876BDP-T1-RE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100-V
-
Лента и катушка (TR)
13885
1
: $0.5200
: 13885

1

$1.2600

$1.2600

10

$1.0300

$10.3000

100

$0.8000

$80.0000

500

$0.6800

$340.0000

1000

$0.5500

$550.0000

3000

$0.5200

$1,560.0000

6000

$0.5000

$3,000.0000

9000

$0.4700

$4,230.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIR876BDP-T1-RE3
SIR876BDP-T1-RE3
-
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100-V
-
Лента и катушка (TR)
13885
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET® Gen IV
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 10A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id2.4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)4.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs65 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds3040 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0