+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIRS700DP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIRS700DP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIRS700DP-T1-RE3
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIRS700DP-T1-RE3
SIRS700DP-T1-RE3
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
SIRS700DP-T1-RE3
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V
-
Лента и катушка (TR)
6500
: $1.9900
: 6500

6000

$1.9900

$11,940.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIRS700DP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIRS700DP-T1-RE3
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>SIRS700DP-T1-RE3
SIRS700DP-T1-RE3
-
Vishay / Siliconix
N-CHANNEL 100 V
-
Лента и катушка (TR)
6500
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
PDF(2)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET® Gen IV
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаDISCONTINUED
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C30A (Ta), 127A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 20A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)7.4W (Ta),132W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 250µA
Пакет устройств поставщикаPowerPAK® SO-8
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)7.5V, 10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)100 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs130 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds5950 pF @ 50 V
captcha

+86-15869849588
0