+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
SIZF300DT-T1-GE3
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 30
-
Лента и катушка (TR)
9326
1
: $0.4800
: 9326

1

$1.2200

$1.2200

10

$1.0000

$10.0000

100

$0.7700

$77.0000

500

$0.6600

$330.0000

1000

$0.5300

$530.0000

6000

$0.4800

$2,880.0000

9000

$0.4600

$4,140.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SIZF300DT-T1-GE3
SIZF300DT-T1-GE3
-
Vishay / Siliconix
MOSFET 2N-CH 30
-
Лента и катушка (TR)
9326
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительVishay / Siliconix
РядTrenchFET® Gen IV
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerWDFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.84mOhm @ 10A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.2V @ 250µA
Пакет устройств поставщика8-PowerPair® (6x5)
captcha

+86-15869849588
0