+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM6N24TU,LF
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM6N24TU,LF
SSM6N24TU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 0.5A UF6
SSM6N24TU,LF
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2N-CH 30
-
Лента и катушка (TR)
9065
1
: $0.4300
: 9065

1

$0.4300

$0.4300

10

$0.3400

$3.4000

100

$0.2000

$20.0000

500

$0.1900

$95.0000

1000

$0.1300

$130.0000

3000

$0.1200

$360.0000

6000

$0.1100

$660.0000

9000

$0.1000

$900.0000

30000

$0.1000

$3,000.0000

75000

$0.0900

$6,750.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM6N24TU,LF
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM6N24TU,LF
SSM6N24TU,LF
-
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2N-CH 30
-
Лента и катушка (TR)
9065
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
РядU-MOSIII
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-SMD, Flat Leads
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
Рабочая Температура150°C
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.500mW (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)30V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C500mA (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds245pF @ 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs145mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id1.1V @ 100µA
Пакет устройств поставщикаUF6
captcha

+86-15869849588
0