+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM6P816R,LF
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM6P816R,LF
SSM6P816R,LF
MOSFET 2P-CH 20V 6A 6TSOPF
SSM6P816R,LF
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2P-CH 20
-
Лента и катушка (TR)
10649
1
: $0.4800
: 10649

1

$0.4800

$0.4800

10

$0.4100

$4.1000

100

$0.2900

$29.0000

500

$0.2200

$110.0000

1000

$0.1800

$180.0000

3000

$0.1600

$480.0000

6000

$0.1500

$900.0000

9000

$0.1400

$1,260.0000

30000

$0.1400

$4,200.0000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM6P816R,LF
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>SSM6P816R,LF
SSM6P816R,LF
-
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
MOSFET 2P-CH 20
-
Лента и катушка (TR)
10649
YES
Параметры продукции 
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс6-SMD, Flat Leads
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
Рабочая Температура150°C
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Мощность - Макс.1.4W (Ta)
Напряжение стока к источнику (Vdss)20V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1030pF @ 10V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs16.6nC @ 4.5V
Особенность полевого транзистораLogic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Макс) @ Id1V @ 1mA
Пакет устройств поставщика6-TSOP-F
captcha

+86-15869849588
0