STDCQR1-13M Кристаллы_Элемент (Гонконг)Технология_Электронные компоненты_Интегрированные схемыIC_Резисторы_Конденсаторы_Децентрализованные устройства_Электронные компоненты Независимые дистрибьюторы

STDCQR1-13M

CRYSTAL 13.0000MHZ 8PF SMD

：

STDCQR1-13M

Кристаллы

NDK

CRYSTAL 13.0000

Лента и катушка (TR)

6500

: $0.3900

: 6500

$0.7000

$0.6200

$6.2000

$0.5800

$29.0000

100

$0.5100

$51.0000

500

$0.4800

$240.0000

1000

$0.4000

$400.0000

3000

$0.3900

$1,170.0000

6000

$0.3700

$2,220.0000

15000

$0.3600

$5,400.0000

：

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：

NDK

：

CRYSTAL 13.0000

：

Лента и катушка (TR)

：

6500

：

YES

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意法-ST

N沟道30 V、0.0024 Ohm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道800 V、2.75 Ohm典型值、2 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

Low voltage fast-switching PNP power transistor

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意法-ST

Automotive-grade N-channel 40 V, 3.0 mOhm typ., 80 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

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意法-ST

N-CHANNEL 30V - 0.0090 OHM - 40A DPAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET

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意法-ST

Automotive-grade P-channel -30 V, 33 mOhm typ., -20 A STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package

STDCQR1-13M

意法-ST

汽车级P沟道-80 V、18.5 mOhm典型值、-40 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道40 V、3.1 mOhm、80 A STripFET(TM) VI DeepGATE(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道600 V、0.28 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道60 V、0.08 Ohm典型值、12 A STripFET II功率MOSFET，IPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道100 V、0.0085 Ohm典型值、70 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

汽车级N沟道40 V、2.2 mOhm典型值、80 A STripFET F7功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 600 V, 570 mOhm typ., 8 A, FDmesh II Power MOSFET in a DPAK package

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 600 V, 0.37 Ohm, 10 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in a DPAK package

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 800 V, 13 Ohm typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道250 V、318 mOhm典型值、8 A STripFET(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

P-channel 500 V, 3 Ohm, 2.8 A DPAK, Zener-protected SuperMESH Power MOSFET

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 400 V, 2.7 Ohm typ., 2 A SuperMESH K3 Power MOSFET in a DPAK package

STDCQR1-13M

德州仪器-TI

N-channel 30V - 0.0075Ω - 60A - DPAK STripFET™ II Power MOSFET

STDCQR1-13M

意法-ST

汽车级N沟道40 V、7 mOhm典型值、54 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道600 V、0.53 Ohm典型值、10 A MDmesh II功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道800 V、1.3 Ohm典型值、4.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 30 V, 0.0024 Ohm, 80 A, DPAK Power MOSFET

STDCQR1-13M

意法-ST

Triple input LCD controller for WUXGA applications

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道500 V、2.8 Ohm典型值、2.3 A SuperMESH功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 60 V, 0.060 Ohm typ., 16 A STripFET II Power MOSFET in DPAK package

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道500 V、0.73 Ohm、5 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道650 V、0.425 Ohm典型值、11 A MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道620 V、3 Ohm典型值、2.2 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道600 V、0.78 Ohm典型值、6 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道200 V、0.65 Ohm、5 A STripFET(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道800 V、0.95 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道800 V、2.7 Ohm典型值、3 A SuperMESH功率MOSFET，IPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N-channel 650 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道600 V、5 A、0.84 Ohm典型值MDmesh(TM) II功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道550 V、0.150 Ohm典型值、16 A MDmesh M5功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道100 V、0.115 Ohm典型值、13 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

高电流高性能低压PNP晶体管

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道650 V、0.42 Ohm典型值、8 A MDmesh M2功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道500 V、0.299 Ohm典型值、11 A MDmesh DM2功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

Single-chip enhanced premium monitor controller

STDCQR1-13M

Allegro

达林顿晶体管音频放大器 (Darlington Transistors for Audio Amplifiers)

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道800 V、2.8 Ohm典型值、2.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N-CHANNEL 500V - 0.93͐2;6; - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET

STDCQR1-13M

意法-ST

汽车级P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道100 V、0.033 Ohm典型值、25 A StripFET功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道525 V、0.72 Ohm、6 A SuperMESH3(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

STDCQR1-13M

意法-ST

N沟道800 V、0.95 Ohm、6.5 A MDmesh(TM) 功率MOSFET，DPAK封装

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意法-ST

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德州仪器-TI

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意法-ST

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意法-ST

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Allegro

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Параметры продукции

PDF(1)

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	NDK
Ряд	NX3225SA
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	4-SMD, No Lead
Емкость нагрузки	8pF
Размер / Размер	0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Тип монтажа	Surface Mount
Тип	MHz Crystal
Рабочая Температура	-40°C ~ 85°C
Стабильность частоты	±25ppm
Допуск по частоте	±15ppm
Рабочий режим	Fundamental
Высота - сидя (макс.)	0.024" (0.60mm)
ESR (эквивалентное последовательное сопротивление)	80 Ohms
Частота	13 MHz