+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TK190E65Z,S1X
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TK190E65Z,S1X
TK190E65Z,S1X
650V DTMOS VI TO-220 190MOHM
TK190E65Z,S1X
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
650V DTMOS VI T
-
Трубка
6615
1
: $2.0600
: 6615

1

$2.6000

$2.6000

50

$2.0600

$103.0000

100

$1.7600

$176.0000

500

$1.5700

$785.0000

1000

$1.3400

$1,340.0000

2000

$1.2600

$2,520.0000

5000

$1.2500

$6,250.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TK190E65Z,S1X
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TK190E65Z,S1X
TK190E65Z,S1X
-
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
650V DTMOS VI T
-
Трубка
6615
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительToshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ряд-
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-220-3
Тип монтажаThrough Hole
Рабочая Температура150°C
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C15A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs190mOhm @ 7.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)130W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4V @ 610µA
Пакет устройств поставщикаTO-220
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±30V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs25 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1370 pF @ 300 V
captcha

+86-15869849588
0