+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44100SG
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44100SG
TP44100SG
GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
TP44100SG
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
-
Лента и катушка (TR)
9469
: $3.3000
: 9469

1

$5.5000

$5.5000

10

$4.7500

$47.5000

100

$4.1300

$413.0000

500

$3.3000

$1,650.0000

3000

$3.3000

$9,900.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44100SG
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44100SG
TP44100SG
-
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
-
Лента и катушка (TR)
9469
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTagore Technology
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс22-PowerVFQFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C19A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 11mA
Пакет устройств поставщика22-QFN (5x7)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)0V, 6V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs3 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds110 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0