+86-15869849588
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>TP44110HB
  • image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>TP44110HB
TP44110HB
GANFET 2N-CH 650V 30QFN
TP44110HB
Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
Tagore Technology
GANFET 2N-CH 65
-
Поднос
6560
1
: $6.8800
: 6560

1

$6.8800

$6.8800

10

$6.8800

$68.8000

image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>TP44110HB
image of Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов>TP44110HB
TP44110HB
-
Tagore Technology
GANFET 2N-CH 65
-
Поднос
6560
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTagore Technology
Ряд-
УпаковкаПоднос
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс30-PowerWFQFN
Тип монтажаSurface Mount
Конфигурация2 N-Channel (Half Bridge)
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Напряжение стока к источнику (Vdss)650V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C19A (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds110pF @ 400V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs3nC @ 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 11mA
Пакет устройств поставщика30-QFN (8x10)
captcha

+86-15869849588
0