+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44400SG
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44400SG
TP44400SG
GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN
TP44400SG
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
-
Лента и катушка (TR)
9460
: $2.1300
: 9460

1

$2.1300

$2.1300

10

$1.8400

$18.4000

100

$1.5900

$159.0000

500

$1.2800

$640.0000

3000

$1.2800

$3,840.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44400SG
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP44400SG
TP44400SG
-
Tagore Technology
GAN FET HEMT 65
-
Лента и катушка (TR)
9460
NO
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTagore Technology
Ряд-
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс22-PowerVFQFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C6.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs360mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th) (Макс) @ Id2.5V @ 2.8mA
Пакет устройств поставщика22-QFN (5x7)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)0V, 6V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs0.75 nC @ 6 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds28 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0