+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H035G4QS
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H035G4QS
TP65H035G4QS
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
TP65H035G4QS
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 46.5 A GA
-
Лента и катушка (TR)
6500
1
: $17.6000
: 6500

1

$17.6000

$17.6000

10

$15.5100

$155.1000

100

$13.4100

$1,341.0000

500

$12.1600

$6,080.0000

2000

$10.3800

$20,760.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H035G4QS
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H035G4QS
TP65H035G4QS
-
Transphorm
650 V 46.5 A GA
-
Лента и катушка (TR)
6500
YES
Параметры продукции 
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядSuperGaN®
УпаковкаЛента и катушка (TR)
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейс8-PowerSFN
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C46.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs41mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)156W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 1mA
Пакет устройств поставщикаTOLL
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs22 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1500 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0