+86-15869849588
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4BS
  • image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
650 V 34 A GAN FET
TP65H050G4BS
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Transphorm
650 V 34 A GAN
-
Трубка
6693
1
: $10.1500
: 6693

1

$12.5400

$12.5400

50

$10.1500

$507.5000

100

$9.5500

$955.0000

500

$8.6600

$4,330.0000

1000

$7.9400

$7,940.0000

image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4BS
image of Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы>TP65H050G4BS
TP65H050G4BS
-
Transphorm
650 V 34 A GAN
-
Трубка
6693
YES
Параметры продукции 
PDF(1)
ТИПОПИСАНИЕ
ПроизводительTransphorm
РядSuperGaN®
УпаковкаТрубка
Статус продуктаACTIVE
Пакет/кейсTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Тип монтажаSurface Mount
Рабочая Температура-55°C ~ 150°C (TJ)
ТехнологииGaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистораN-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C34A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs60mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)119W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщикаTO-263
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)10V
ВГС (Макс)±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs24 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds1000 pF @ 400 V
captcha

+86-15869849588
0